英飞凌CoolSiC混合单管优点

日期：2021-11-02 14:54:22　

650 V CoolSiC™混合单管结合了一流的650 V TRENCHSTOP™5 IGBT技术与单极结构的CoolSiC™肖特基势垒二极管的主要优点：

效益	优势	优势
一流的超快速或快速TRENCHSTOP™ 5 IGBT技术反并联SiC肖特基势垒二极管 4脚开尔文-发射极封装	开关损耗和导通损耗均达到最优的IGBT 以有竞争力的成本达到与SiC MOSFET相媲美的性能 Sense引脚使得 IGBT 响应时间超短抑制电压过冲（Si二极管的dirr/dt会导致电压过冲），低EMI	高效率使得冷却需求降低或功率密度提高开关频率更高轻松替换采用 TRENCHSTOP™ 5 IGBT 的设计 – 每 10kHz 开关频率的效率提高 0.1% 双向电流

CoolSiC™混合单管可提高性能

具有开尔文发射极的 TO-247 4 引脚封装能够实现更快的换向，从而改善 IGBT 的开关行为。与标准 TO-247 相比，动态损耗降低了 20%，从而提高整个系统的效率，使 IGBT 能够在较低的温度下工作。

IGBT 的开关速度越快，TO-247 4 引脚带来的好处就越多。