二极管静态特性

导通特性
当电压超过门限电压(硅材料是0,7伏)时，随着正向电压增加，电流很陡上升(见图2.2.2)。当电流很大，其值远远超过容许的正向电流值时，才变得平坦。在中小电流时正向导通电压同温度系数成反比，即在电流为常数时，温度越高正向导通电压就越低。在大电流时情况正相反。电流流过二极管会产生损耗(等于电流乘以电压)，会使二极管变热，这个热量就限制二极管的允许正向电流值，因为过大会烧坏二极管。

图 2.2.2 二极管的电压电流曲线

截止特性
当二极管被电压源反向连接时，在开始的几伏的范围内，截止电流缓慢上升然后基本不变。截止电流受温度影响很大并随着温度的升高而提高，特别是肖特基二极管。这时出现的损耗(等于截止电流乘以截止电压)在实际应用中很小，以致可以忽略(肖特基二极管列外)。当提高外接电压就会进入穿透区，(见图2.2.2)，截止电流上升很陡。这时就会出现齐纳效应和雪崩效应。
齐纳效应
在二极管中掺杂度很高的n-半导体构成空间电荷区中，当其电场很高时，以致是能把硅原子的电子拽掉，成为自由带电离子，这时电流上升很陡，这就是齐纳效应。这时的电压被称为齐纳电压，它同温度成反比。只有当空间电荷区的电场很高时才出现齐纳效应。它反映在二极管上就是相对较低的反向击穿电压。一般为5,7V。对再高的反向击穿电压就会出现雪崩效应。
雪崩效应
通过加温和辐射可在空间电荷区产生带电离子(电子和空穴)。当它们在空间电荷区被很强大的电场加速，并同其他原子碰撞而产生新的带电离子。这时带电离子的数量如同雪崩一样增加，同样反向截止电流也快速上升。这就是雪崩效应。这时的电压同温度成正比，既随着温度的升高而升高。当反向击穿电压大于5,7V时，都应看成是雪崩效应。但在实际中常常把雪崩二极管错看成是齐纳二极管。它一定要按照给出的参数数据，并在规定的条件范围内使用。