“必不可少”的半导体碳化硅

安森美半导体的市场份额增长极快，2019年成为了排名第五的碳化硅供应商，而这家厂商的愿景是在2025年跻身前三甲。

具有优异特性的“第三代半导体材料”碳化硅（SiC）相比传统硅材料，因具有良好的带隙、击穿场强、高热导率、高电子迁移率、高饱和电子漂移速度而被制为SiC MOSFET和SiC二极体，大面积应用于汽车和工业市场。

利用碳化硅器件可以明显获得小型轻量，高能效和驱动力强的系统性能。经过研究和长期的市场认证，利用碳化硅材料的特性优势，不仅可以缩小模块的体积的50%以上，减少电子转换损耗80%以上，还可全面降低综合成本。