IGBT 器件概述

IGBT 全称绝缘栅双极晶体管，是由双极型三极管 BJT 和 MOSFET 组成的复合全 控型电压驱动式功率器件。IGBT 具有电导调制能力，相对于 MOSFET 和双极晶体管 具有较强的正向电流传导密度和低通态压降。IGBT 被广泛应用于逆变器、变频器、开 关电源、照明电路、牵引传动等领域。随着新能源汽车、通信、计算机、消费电子、汽车电子、航空航天、国防军工等 应用需求增长，全球 IGBT 分立器件市场将持续扩大。根据 Omdia 的统计，2019 年市 场规模为 16.03 亿美元，2017-2019 年复合年均增长率为 11.73%，2024 年市场规模有 望达到 16.82 亿美元。

2019 年全球 IGBT 分立器件领域中，英飞凌销售额排名第一，市占率高达 30.22%， 前十大公司合计占比达到 75.42%，中国厂商中，吉林华微电子进入前十，市占率为 2.41%。

除了 IGBT 分立器件外，IGBT 模块为另一重要产品类型。2019 年，全球整体 IGBT 的市场规模为 60.66 亿美元，中国 IGBT 市场规模为 23.98 亿美元。具体如下图 所示：