碳化硅SiC产业链供需测算

器件方面：SiC产线从4英寸向6英寸发展。据CASAResearch不完全统计，2020年国内投产3条6英寸SiC晶圆产线，截至2020年底，国内至少已有8条6英寸SiC晶圆制造产线（包括中试线），另有约10条SiC生产线正在建设。

GaN电力电子产线方面，已有7条GaN-on-Si晶圆制造产线，另有约4条GaN电力电子产线正在建设。GaN射频产线方面，2020年有5条4英寸GaN-on-SiC生产线，约有5条GaN射频产线正在建设。

值得注意的是，大尺寸产线对材料技术和生产技术的要求更高，与国际相比，国内大尺寸晶圆制造技术尚未完全成熟，成本高昂、良率较低。企业要根据自身情况，综合考虑技术、成本、生产效率等多方面因素，选取最优的工艺路线。

产能统计：据CASAResearch数据显示，SiC电力电子方面SiC导电型衬底折算4英寸产能约为40万片/年，SiC-on-SiC外延片折算6英寸产能约为22万片/年，SiC-on-SiC器件/模块（4/6英寸兼容）产能约26万片/年。

GaN电力电子方面GaN-on-Si外延片折算6英寸产能约为28万片/年，GaN-on-Si器件/模块折算6英寸产能约为22万片/年。GaN微波射频方面SiC半绝缘衬底折算4英寸产能约为18万片/年，GaN-on-SiC外延片折算4英寸产能约为20万片/年，GaN-on-SiC器件/模块折算4英寸产能约为16万片/年。

目前业界于电动车较积极导入SiC的主要装置和部件有主驱逆变器、车载充电器、车外充电器，SiC功率元件发挥如下优势：

• 极佳的内在特质：高效率，降低能量损耗；高转换频率，增加能量强度；可在更高的温度下运行，提升长期可靠性。

  
  

• 性能改进和小型化：从Si-IGBT模组到SiCMOSFET模组，体积缩小了50%，效率提升了2%，器件的使用寿命得到延长。

  
  

• 有助于降低电动车用户的使用成本：提升效率以达到节电目的，在相同输出功率下可增加续航里程、提升充电速度。

纯电动汽车:8寸晶圆可以满足13辆车的SiC需求;6寸晶圆可以满足7辆车的SiC需求8inchwafer=324.29平方厘米，假设良率为50%，BEV各部件需要的SiC晶圆面积：

• 逆变器=10平方厘米；

  
  

• OBC=1.8平方厘米；

  
  

• DC/DC=0.9平方厘米，那么1张8寸晶圆可以满足13辆车的SiC需求。6inchwafer=176.7平方厘米,假设良率为50%，那么1张6寸晶圆可以满足7辆车的SiC需求。

油电混合车:8寸晶圆可以满足17辆车的SiC需求;6寸晶圆可以满足9辆车的SiC需求8inchwafer=324.29平方厘米，假设良率为50%，BEV各部件需要的SiC晶圆面积：

• 逆变器=8平方厘米；

  
  

• OBC=0.9平方厘米；

  
  

• DC/DC=0.5平方厘米，那么1张8寸晶圆可以满足17辆车的SiC需求。

6inchwafer=176.7平方厘米,假设良率为50%，那么1张6寸晶圆可以满足9辆车的SiC需求。国内SiC商业化衬底以4英寸为主，逐步向6英寸过渡，微管密度小于1个/cm2，实现95%的衬底可用面积，位错约在1×103/cm2较上年有所进步。

我国新能源汽车SiC需求测算：

纯电动汽车占新能源汽车比重为81%，以此数据假设，我国2021-2025年新能源汽车相关8英寸SiC晶圆需求为14.0万片、18.1万片、24.2万片、31.2万片、42.3万片，全球为27.0万片、36.5万片、49.5万片、64.4万片、89.4万片；6英寸SiC晶圆需求我国为24.9万片、32.1万片、43.1万片、55.4万片、75.2万片，全球为49.5万片、67.0万片、90.9万片、112.8万片、164.0万片。