功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心,主要用于改变电子装置中 电压和频率、直流交流转换等。近年来,随着国民经济的快速发展,功率半导体的应 用领域已从工业控制和消费电子拓展至新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等诸 多市场,市场规模呈现稳健增长态势。
功率半导体可以分为功率 IC 和功率分立器件两大类,其中功率分立器件主要包括 功率二极管、晶闸管、高压晶体管、MOSFET、IGBT 等产品。在功率半导体发展过程 中,20 世纪 50 年代,功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和电力系统。20 世 纪 60 至 70 年代,晶闸管等半导体功率器件快速发展。20 世纪 70 年代末,平面型功率 MOSFET 发展起来。20 世纪 80 年代后期,沟槽型功率 MOSFET 和 IGBT 逐步面世, 半导体功率器件正式进入电子应用时代。20 世纪 90 年代,超级结 MOSFET 逐步出现, 打破了传统硅基产品的性能限制以满足大功率和高频化的应用需求。对国内市场而言, 功率二极管、功率三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化,而功率 MOSFET 特别是超级结 MOSFET、IGBT 等高端分立器件产品由于其技术及工艺的复 杂度,还较大程度上依赖进口,未来进口替代空间巨大。
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